申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-04-27

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113221487B

主分类号：G06F30/327

分类号：G06F30/327

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开

摘要：本发明公开了一种标准单元版图拉伸方法，包括：步骤一、在Y轴方向上将标准单元的版图划分为三段区域，三段区域分别为N区、G区和P区；步骤二、将G区中所述标准单元的版图的图形的Y轴坐标乘以一个放大系数以将G区拉伸；步骤三、将G区拉伸形成的Y轴的偏移值叠加到N区或P区的Y轴坐标上；步骤四、将坐标修改后的N区、G区和P区合成拉伸后的标准单元的版图。本发明能实现标准单元版图的自动拉伸，能节省时间和人力成本，能提高效率。

主权项：1.一种标准单元版图拉伸方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在Y轴方向上将标准单元的版图划分为三段区域，三段区域分别为N区、G区和P区；所述N区对应于NMOS管的形成区域，所述P区对应于PMOS管的形成区域，所述G区位于所述N区和所述P区之间；步骤二、将所述G区中所述标准单元的版图的图形的Y轴坐标乘以一个放大系数以将所述G区拉伸；步骤三、将所述G区拉伸形成的Y轴的偏移值叠加到所述N区或所述P区的Y轴坐标上，所述N区的Y轴坐标偏移值和所述P区的Y轴坐标偏移值的和等于所述G区拉伸形成的Y轴的偏移值；步骤四、对坐标修改后的所述N区、所述G区和所述P区进行合成以形成拉伸后的所述标准单元的版图。

全文数据：

权利要求：

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