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气体输送装置及半导体处理装置 

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申请/专利权人:中微半导体设备(上海)股份有限公司

摘要:本发明公开了一种气体输送装置,用于对半导体处理装置内的衬底供给反应气体,包含一个第一前驱体源瓶和至少两条前驱体输送管道;通过至少两条前驱体输送管道共同输送气态前驱体至半导体处理装置的衬底表面,每条前驱体输送管道的温度均低于仅存在一条前驱体输送管道时的管道温度,降低了气态前驱体在输送管道分解或冷凝的风险,提高了前驱体的使用效率;或者,通过至少两个前驱体源瓶和对应的前驱体输送管道共同输送前驱体至半导体处理装置的衬底表面,在不提高前驱体源瓶温度的情况下来保证前驱体的供给量。

主权项:1.一种气体输送装置,用于对半导体处理装置内的衬底供给反应气体,其特征在于,包括:第一前驱体源瓶,所述第一前驱体源瓶的内部包含固态或液态的前驱体,用于向所述半导体处理装置提供前驱体;第一前驱体输送管道和第二前驱体输送管道,所述第一前驱体输送管道的一端与所述第二前驱体输送管道的一端分别与所述第一前驱体源瓶相连接,所述第一前驱体输送管道的另一端与所述第二前驱体输送管道的另一端分别与所述半导体处理装置相连,用于将所述第一前驱体源瓶中的前驱体通过所述第一前驱体输送管道和所述第二前驱体输送管道输送至半导体处理装置内。

全文数据:

权利要求:

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