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申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的N型半导体层、发光层和P型半导体层，沿发光层到N型半导体层的方向起，N型半导体层包括依次层叠的N型Alx1Ga1‑x1As层和N型GaAs层，x1的取值范围为0.05～1。借此，通过N型Alx1Ga1‑x1As层和N型GaAs层所形成的异质结构来取代传统的GaP电流扩展层，能够在N型Alx1Ga1‑x1As层和N型GaAs层的界面处形成二维电子气2‑DEG，以高电子迁移率取代电流扩展作用，电子迁移率至少比传统结构高出1～2个数量级，提升发光二极管的光电性能，并且异质结构充当电流扩展层能够减少一道芯片工序，提升发光二极管的良率。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括依次层叠的N型半导体层、发光层和P型半导体层；其中，沿所述发光层到所述N型半导体层的方向，所述N型半导体层包括依次层叠的N型Alx1Ga1-x1As层和N型GaAs层，x1取值范围为0.05～1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管及发光装置
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