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【发明公布】一种滤波器晶圆级封装结构及方法和电子设备_浙江星曜半导体有限公司_202410209262.2 

申请/专利权人:浙江星曜半导体有限公司

申请日:2024-02-26

公开(公告)日:2024-05-10

公开(公告)号:CN118017967A

主分类号:H03H9/10

分类号:H03H9/10;H03H9/02;H03H9/64;H03H3/08

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要:本发明提供了一种滤波器晶圆级封装结构及方法和电子设备,涉及半导体封装领域,其中压电衬底包括有自压电层一侧进行刻蚀的第一通孔,及自基底一侧进行刻蚀的第二通孔,以通过两个方向刻蚀形成贯穿整个压电衬底的通孔,改善了现有沿同一方向刻蚀形成贯穿压电衬底的通孔时,由于对准困难而导致刻蚀损伤设定通孔区域之外的材料的问题,进而改善了封装过程中导致的滤波器损坏的问题,提高了滤波器的封装良率。滤波器晶圆级封装结构采用正装封装方式,将滤波器晶圆级封装结构与线路基板固定电连接时,使得滤波器的基底更靠近线路基板而提高了其热辐射效率,且降低了第一通孔和第二通孔处的连接电极的散热路径,提高了滤波器的散热效果。

主权项:1.一种滤波器晶圆级封装结构,其特征在于,包括:压电衬底,所述压电衬底包括叠加的基底和压电层,以及包括相通的第一通孔和第二通孔,所述第一通孔贯穿所述压电层,且所述第二通孔贯穿所述基底;盖板,所述盖板位于所述压电层一侧,且所述盖板与所述压电衬底之间形成空腔,所述第一通孔在所述盖板的垂直投影位于所述空腔在所述盖板的垂直投影范围内;换能器,所述换能器位于所述空腔中;第一连接电极和第二连接电极,所述第一连接电极覆盖所述第一通孔,所述第二连接电极覆盖所述第二通孔,且所述第一连接电极和所述第二连接电极接触电连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江星曜半导体有限公司 一种滤波器晶圆级封装结构及方法和电子设备

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