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申请/专利权人：江苏普诺威电子股份有限公司

摘要：本发明涉及一种高填孔比五层埋容MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路、第一次压合、第一次减铜、第一次镭射烧钯定位、镭射钻孔及填孔、第二次压合、第二次减铜、第二次镭射烧钯定位、镭射钻孔及填孔、外层线路和镭射烧槽，通过上述步骤制成的封装载板为不对称结构的五层板，从而实现了在不对称结构下仍具有超高的平整度的目的，解决了五层埋容MEMS封装载板翘曲难以控制的问题。

主权项：1.一种高填孔比五层埋容MEMS封装载板的制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：开料：将埋容基材裁切成一定的尺寸而形成埋容基板10，所述埋容基板10具有电容层11以及分别设置于该电容层正、反两面的第二铜箔层12和第三铜箔层13；步骤2：内层线路：对第三铜箔层13进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，而在第三铜箔层13上形成内层线路，该内层线路包括后续镭射钻孔的隔离区域；步骤3：第一次压合：将步骤2处理后的埋容基板10、第一绝缘层21和第四铜箔层22按照设计的叠层结构进行叠合，利用压机将叠合好的埋容基板10、第一绝缘层21和第四铜箔层22压合而形成三层板20，且所述第三铜箔层13与第四铜箔层22分别贴合于所述第一绝缘层21的正反两面；步骤4：第一次减铜：将第二铜箔层12上整面贴膜保护，并对第四铜箔层22进行差分减铜处理，然后退去第二铜箔层12上的保护膜，再对三层板20进行棕化或黑化处理；步骤5：第一次镭射烧钯定位、镭射钻孔及填孔：镭射烧钯定位：根据线路布局需求，对第四铜箔层22进行镭射烧钯形成定位孔；镭射钻孔：镭射机利用CO2激光在第四铜箔层22的定位孔处形成两组盲孔，分别为第一盲孔41和第二盲孔42，所述第一盲孔41依次穿过第四铜箔层22、第一绝缘层21、第三铜箔层13和埋容层11而不烧穿第二铜箔层12，所述第二盲孔42穿过第四铜箔层22和第一绝缘层21而不烧穿第三铜箔层13；填孔：对第一、第二盲孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理而实现其导通功能；步骤6：第二次压合：将步骤5处理后的第一铜箔层31、三层板20和第五铜箔层34按照设计的叠层结构进行叠合，利用压机将叠合好的三层板20、第一铜箔层31和第五铜箔层34压合而形成五层板30，其中，所述第一铜箔层31与第二铜箔层12之间设有第二绝缘层32，所述第五铜箔层34与第四铜箔层22之间设有第三绝缘层33，其中所述第三绝缘层33的厚度大于第二绝缘层32的厚度；步骤7：第二次减铜：同时对第一铜箔层31和第五铜箔层34进行整体减铜处理，再对第一铜箔层31和第五铜箔层34进行棕化或黑化处理；步骤8：第二次镭射烧钯定位、镭射钻孔及填孔：镭射烧钯定位：根据线路布局需求，对第一铜箔层31和第五铜箔层34进行镭射烧钯形成定位孔；镭射钻孔：镭射机利用CO2激光在第一铜箔层31的定位孔处形成两组盲孔：分别为第三盲孔43和第四盲孔44，CO2激光在第五铜箔层34的定位孔处形成第五盲孔45，所述第三盲孔43依次穿过第一铜箔层31、第二绝缘层32、第二铜箔层12和埋容层11而不烧穿第三铜箔层13，所述第四盲孔44穿过第一铜箔层31和第二绝缘层32而不烧穿第二铜箔层12，所述第五盲孔45穿过第五铜箔层34和第三绝缘层33而不烧穿第四铜箔层22；填孔：采用分段式填孔的方式，即先以第四盲孔的参数设定，完成对第三、第四盲孔的填孔操作，此时第五盲孔为半填状态，再在第一铜箔层31上覆干膜保护后，继续对第五盲孔45进行续镀直至填平，而制作出含高填孔深度比的不对称结构的五层板30；步骤9：外层线路：分别对五层板的第一铜箔层31和第五铜箔层34进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有外层线路的五层板；步骤10：镭射烧槽：利用环绕式镭射烧槽工艺在第五铜箔层34侧制作出一定深度的盲槽46，用于容置内嵌式贴件。

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