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申请/专利权人:江苏普诺威电子股份有限公司
摘要:本发明涉及一种MEMS内置芯片封装载板及其制作工艺,包括如下步骤:准备三张芯板,分别为第一芯板、第二芯板和第三芯板,第一芯板的钻孔及填孔;第一芯板的内层线路;SMT贴片;第二芯板的蚀刻和压膜;胶片板的开槽;第三芯板的的钻孔及填孔;第三芯板的内层线路;压合:将第一芯板、胶片板和第三芯板压合在一起;开盖。本发明得到的封装载板不仅实现了内置芯片的功能,而且在不增加器件本身体积的条件下增加了背腔的体积,提高了产品的灵敏度和信噪比,符合器件微型化的发展趋势。
主权项:1.一种MEMS内置芯片封装载板的制作工艺,其特征在于:包括如下步骤:步骤1:准备三张芯板,分别为第一芯板10、第二芯板20和第三芯板30,其中,所述第一芯板10包括第一绝缘层11以及分别设置于该第一绝缘层11正、反两面的第一铜箔层12和第二铜箔层13,所述第二芯板20包括第二绝缘层21以及分别设置于该第二绝缘层正、反两面的第三铜箔层22和第四铜箔层23,所述第三芯板30包括第三绝缘层31以及分别设置于该第三绝缘层正、反两面的第五铜箔层32和第六铜箔层33;步骤2:第一芯板10的钻孔及填孔:利用钻孔机在第一芯板10上钻出用于层间连通的贯通孔,并对贯通孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理,使贯通孔内壁形成一层铜层而形成用于层间线路导通的导通孔;步骤3:第一芯板10的内层线路:分别对第一芯板的第一铜箔层12和第二铜箔层13进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理,得到具有内层线路的第一芯板10;步骤4:SMT贴片:通过锡膏印刷、芯片贴装、回流焊接和AOI光学检测,将芯片40装于第一芯板的第一铜箔层上;步骤5:第二芯板20的蚀刻和压膜:将第二芯板上的第三铜箔层22和第四铜箔层23蚀刻掉,并在第二绝缘层21的两面贴合纯胶片层24,得到胶片板25;步骤6:胶片板的开槽:在胶片板上进行UV镭射开槽,而在胶片板上形成背腔51;步骤7:第三芯板30的钻孔及填孔:利用钻孔机在第三芯板30上钻出用于层间连通的贯通孔,并对贯通孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理,使贯通孔内壁形成一层铜层而形成用于层间线路导通的导通孔;步骤8:第三芯板30的内层线路:分别对第三芯板的第五铜箔层32和第六铜箔层33进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理,得到具有内层线路的第三芯板30;步骤9:压合:将第一芯板10、胶片板25和第三芯板30依次叠合并利用压机压合成半成品板,所述胶片板25的两侧分别贴合第六铜箔层33与第一铜箔层12;步骤10:开盖:对半成品板进行钻孔镀铜、外层线路、防焊、表面处理后,在第三芯板30上进行镭射开盖处理形成声孔52,而得到成品封装载板50,所述声孔52与背腔51相互连通。
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