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申请/专利权人:广州增芯科技有限公司
摘要:本实用新型涉及半导体制造设备领域,为一种CVD反应腔室,包括:腔室本体、喷淋头、晶圆承载台、喷嘴、管道安装槽、分支管道。腔室本体包括上腔室本体和下腔室本体,上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽;分支管道设置于所述管道安装槽内。分支管道连通喷淋头和喷嘴,所述喷嘴设置于靠近所述晶圆承载台下部的位置。所述位于上腔室本体的分支管道与所述位于下腔室本体的分支管道连接处设有密封连接部件。本实用新型能够提高对反应腔室内的晶圆承载台底下的薄膜或整个反应腔室底部的薄膜的清洗效果,可以大幅度提高CVD反应腔室的洁净度,减少CVD反应腔室在下批次的薄膜制作工艺中对晶圆的污染,同时能提高整个机台的利用率。
主权项:1.一种CVD反应腔室,其特征在于,包括:腔室本体、喷淋头、晶圆承载台、喷嘴、管道安装槽、分支管道;所述腔室本体包括上腔室本体和下腔室本体,所述喷淋头设置在所述上腔室本体,所述晶圆承载台设置于所述下腔室本体;所述上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽;所述分支管道部分设置于所述管道安装槽内,所述分支管道连通所述喷淋头和所述喷嘴,所述喷嘴设置于靠近所述晶圆承载台下部的位置;所述位于上腔室本体的分支管道与所述位于下腔室本体的分支管道连接处设有密封连接部件。
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