龙图腾网恭喜中芯长电半导体(江阴)有限公司申请的专利半导体封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN209658171U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2019-11-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：201920801545.0，技术领域涉及：H01L23/66(20060101)；该实用新型半导体封装结构是由陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2019-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体封装结构。该结构包括重新布线层，重新布线层包括介质层及金属连接层；第一玻璃基板，位于重新布线层的第二表面；金属连接柱，贯穿第一玻璃基板，且与金属连接层电性连接；第一天线层，与金属连接柱电性连接；第二玻璃基板，覆盖第一天线层；第二天线层，位于第二玻璃基板表面；透镜层，位于第二天线层的表面；金属凸块，与金属连接层电性连接；以及芯片，与金属连接层电性连接。本实用新型的半导体封装结构有助于缩小封装结构的体积，提高器件集成度，同时有助于降低生产成本，有利于提高天线的增益和波束宽度，提高器件性能。

本实用新型半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：重新布线层，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述重新布线层包括介质层及位于所述介质层内的金属连接层；第一玻璃基板，位于所述重新布线层的第二表面；金属连接柱，贯穿所述第一玻璃基板，且与所述金属连接层电性连接；第一天线层，位于所述第一玻璃基板远离所述重新布线层的表面，所述第一天线层与所述金属连接柱电性连接，所述第一天线层包括至少一个天线；第二玻璃基板，覆盖所述第一天线层；第二天线层，位于所述第二玻璃基板远离所述第一天线层的表面，所述第二天线层包括至少一个天线；透镜层，位于所述第二天线层的表面，所述透镜层包括至少一个透镜且所述透镜与所述第二天线层的天线对应设置；金属凸块，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述金属连接层电性连接；以及，芯片，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述金属连接层电性连接。

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