龙图腾网恭喜无锡紫光微电子有限公司申请的专利一种低开关损耗的VDMOSFET获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN209708984U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2019-11-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：201920923326.X，技术领域涉及：H01L29/78(20060101)；该实用新型一种低开关损耗的VDMOSFET是由黄国民;王颖菲;张海涛设计研发完成，并于2019-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低开关损耗的VDMOSFET在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，具体涉及一种低开关损耗的VDMOSFET。所述低开关损耗的VDMOSFET包括N型衬底，所述N型衬底上生长出N型外延层，所述N型外延层中设有P型体区，所述P型体区中设有N型源区，所述N型外延层上表面设有栅极氧化层，所述栅极氧化层上设有导电多晶硅层，所述导电多晶硅层中设有TEOS层，所述TEOS层与栅极氧化层相连；所述栅极氧化层和栅极氧化层外周包围有绝缘介质层。本实用新型能够能够使得栅极氧化层中部增厚，减小了GD电容，即有效减小了Crss，Ciss也较少许多，意味着Qg的重要组成部分Qgd也会随之减小。

本实用新型一种低开关损耗的VDMOSFET在权利要求书中公布了：1.一种低开关损耗的VDMOSFET，其特征在于，所述低开关损耗的VDMOSFET包括N型衬底（1），所述N型衬底（1）上生长出N型外延层（2），所述N型外延层（2）中设有P型体区（3），所述P型体区（3）中设有N型源区（4），所述N型外延层（2）上表面设有栅极氧化层（5），所述栅极氧化层（5）上设有导电多晶硅层（6），所述导电多晶硅层（6）中设有TEOS层（7），所述TEOS层（7）与栅极氧化层（5）相连；所述栅极氧化层（5）和栅极氧化层（5）外周包围有绝缘介质层（8）。

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