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恭喜马娟"一种增强型垂直腔面半导体激光器"专利获国家实用新型专利权

龙图腾网恭喜马娟申请的专利一种增强型垂直腔面半导体激光器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN209929680U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-01-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:201921260321.X,技术领域涉及:H01S5/183(20060101);该实用新型一种增强型垂直腔面半导体激光器是由马娟设计研发完成,并于2019-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

一种增强型垂直腔面半导体激光器在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种增强型垂直腔面半导体激光器,包括:基板,所述基板上端表面固定设置有罩体,所述基板底端均匀设置有三组电源支柱,所述罩体的内部中心处固定设置有安装座。本实用新型体积紧凑,同时单封装功率输出功率高,且单光束输出,与封装阵列相比,同样功率情况下光束质量更高,本实用利用集成光学的方式,将放大级与VCSEL集成在一起,达到单颗VCSEL输出功率增大5‑10倍的效果,使得单颗VCSEL满足百米级的探测发射功率需求,经过反射镜后入射晶体内,对1550nm激光进行放大,从而实现单颗封装的大功率输出,同时晶体的侧面在放大光的入射处镀有增透膜,其他区域镀有反射膜,使其在晶体内部可以多次反射充分吸收,获得更大的增益。

本实用新型一种增强型垂直腔面半导体激光器在权利要求书中公布了:1.一种增强型垂直腔面半导体激光器,其特征在于,包括:基板1,所述基板1上端表面固定设置有罩体2,所述基板1底端均匀设置有三组电源支柱3,所述罩体2的内部中心处固定设置有安装座4,所述安装座4内部中心处通过开设安装槽安装有一号芯片5、两组二号芯片6,且两组所述二号芯片6安装在一号芯片5的两侧,两组所述二号芯片6上端均匹配安装有微型柱透镜7,所述安装座4的上端两侧安装有反射镜8,所述安装座4的上端在反射镜8之间安装有晶体9,所述晶体9内壁在放大光的入射处镀有放大光增透膜10,所述晶体9内壁其他区域均镀有放大光反射膜11。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人马娟,其通讯地址为:102600 北京市大兴区亦庄开发区永昌北路3号宏达工业园5号楼5210室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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