龙图腾网恭喜南开大学申请的专利霍尔元件芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN209929344U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-01-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：201921282606.3，技术领域涉及：H01L43/04(20060101)；该实用新型霍尔元件芯片是由王广才;王静;李菁;欧琳设计研发完成，并于2019-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本霍尔元件芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种霍尔元件芯片，采用铝电极以及过渡层的结构和锑化铟薄膜形成欧姆接触，相对于采用金电极的现有技术方案，大大降低了金属电极材料的成本。另外，金电极需要金丝球超声波压焊工艺，金的熔点较高，需要将霍尔元件芯片置于惰性气体保护环境中加热，然后完成打线工艺，而本实用新型技术方案中铝电极可以在常温和空气中通过铝超声波压焊机完成打线工艺，以实现和框架的电连接，无需高温条件以及惰性气体保护环境，制作工艺简单，进一步降低了制作成本。

本实用新型霍尔元件芯片在权利要求书中公布了：1.一种霍尔元件芯片，其特征在于，所述霍尔元件芯片包括：衬底，具有第一表面；设置在所述第一表面的绝缘阻挡层；设置在所述绝缘阻挡层背离所述衬底一侧表面的锑化铟薄膜，所述锑化铟薄膜包括欧姆接触区；覆盖所述欧姆接触区的过渡层；铝电极，所述铝电极包括覆盖所述过渡层的第一部分以及延伸至所述绝缘阻挡层表面的第二部分；其中，所述过渡层用于降低所述铝电极与所述锑化铟薄膜的接触电阻；所述第二部分用于完成焊接球焊接，以使得所述铝电极与框架电连接。

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