龙图腾网恭喜厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED外延片和半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN210052757U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-02-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：201921464381.3，技术领域涉及：H01L33/14(20100101)；该实用新型一种LED外延片和半导体器件是由万志;卓祥景;尧刚;程伟;林志伟设计研发完成，并于2019-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED外延片和半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种LED外延片和半导体器件，在第一N型半导体层和第二N型半导体层之间嵌入有N型电子阻挡层，且N型电子阻挡层为N型AlInGaNGaN层，由于N型AlInGaNGaN层中AlInGaN和GaN晶格失配较小，通过应力调制，减小了量子阱区域的极化电场，进而能够降低效率骤降带来的不利影响，同时还增加了LED外延片侧向电流扩展能力，使得半导体器件具有良好的电流扩展能力。以及，本实用新型通过的LED外延片移除了P型电子阻挡层，进而能够增加空穴注入，并缓解了载流子在量子阱中的不均匀分布，使多量子阱有源层发光更加均匀，提高了LED外延片的发光效率，且提高了半导体器件的性能。

本实用新型一种LED外延片和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种LED外延片，其特征在于，包括：第一N型半导体层；位于所述第一N型半导体层一侧的N型电子阻挡层，所述N型电子阻挡层为预设生长周期的N型AlInGaNGaN层；位于所述N型电子阻挡层背离所述第一N型半导体层一侧的第二N型半导体层；位于所述第二N型半导体层背离所述第一N型半导体层一侧的多量子阱有源层；位于所述多量子阱有源层背离所述第一N型半导体层一侧的P型半导体层；以及，位于所述P型半导体层背离所述第一N型半导体层一侧的P型接触层。

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