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恭喜深圳市芯电元科技有限公司"集成ESD保护的沟槽MOSFET"专利获国家实用新型专利权

龙图腾网恭喜深圳市芯电元科技有限公司申请的专利集成ESD保护的沟槽MOSFET获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN210167361U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-03-20发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:201921656756.6,技术领域涉及:H01L29/06(20060101);该实用新型集成ESD保护的沟槽MOSFET是由潘光燃设计研发完成,并于2019-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

集成ESD保护的沟槽MOSFET在说明书摘要公布了:本实用新型公开一种更优越的集成ESD保护的沟槽MOSFET,其集成ESD保护的沟槽MOSFET,在MOSFET的栅极和源极之间,包含有正、反向PN结串联组成的稳压二极管,所述稳压二极管的一端连接MOSFET的栅极,另一端连接MOSFET的源极;在MOSFET的栅极和漏极之间,包含有正、反向PN结串联组成的稳压二极管,所述稳压二极管的一端连接MOSFET的栅极,另一端连接MOSFET的漏极。

本实用新型集成ESD保护的沟槽MOSFET在权利要求书中公布了:1.一种集成ESD保护的沟槽MOSFET,其特征在于:在MOSFET的栅极和源极之间,包含有正、反向PN结串联组成的稳压二极管,所述稳压二极管的一端连接MOSFET的栅极,另一端连接MOSFET的源极;在MOSFET的栅极和漏极之间,包含有正、反向PN结串联组成的稳压二极管,所述稳压二极管的一端连接MOSFET的栅极,另一端连接MOSFET的漏极。

如需购买、转让、实施、许可或投资上述专利技术或类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市芯电元科技有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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本专利喜报专利信息来源于国家知识产权局官网发布的专利公告,由龙图腾网整理发布。
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