龙图腾网恭喜深圳市华星光电技术有限公司申请的专利一种COA基板及其制造方法、液晶面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN106444190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-05-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201610933807.X，技术领域涉及：G02F1/1362(20060101)；该发明授权一种COA基板及其制造方法、液晶面板是由谭志威设计研发完成，并于2016-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种COA基板及其制造方法、液晶面板在说明书摘要公布了：本发明提供了一种COA基板，所述衬底基板上形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极金属层、源漏极，源漏极金属层上形成第一钝化层；在第一钝化层上沉积色阻层，第一钝化层以及色阻层上分别开有第一通孔、第二通孔，色阻层上形成有第二钝化层，第二钝化层位于第二通孔上开有第三通孔，第三通孔的孔径大于第一通孔的孔径，使得第一钝化层以及第二钝化层之间形成错开区域；第一通孔、第二通孔以及第三通孔组成导通孔，在第二钝化层上、导通孔以及裸露出的源漏极金属层上设置有透明导电层。本发明还提供了一种COA基板的制造方法以及液晶面板，与现有技术相比，开口率得到提升，而且还增加接触孔面积，提高了可靠性，同时合格率也得到提高。

本发明授权一种COA基板及其制造方法、液晶面板在权利要求书中公布了：1.一种COA基板的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤一S01，在衬底基板上形成栅极金属层；步骤二S02，在栅极金属层以及未被栅极金属层覆盖的衬底基板上形成栅极绝缘层；步骤三S03，在栅极绝缘层上形成有源层；步骤四S04，在栅极绝缘层上还形成有源漏极金属层1，将所述源漏极金属层1图形化形成源漏极；步骤五S05，在所述源漏极金属层1上通过化学气相沉积工艺形成第一钝化层2；步骤六S06，在所述第一钝化层2上通过光掩膜工艺形成色阻层3，通过曝光显影工艺形成第二通孔5，形成所述第二通孔5后，经高温固化后使所述第二通孔5的孔壁呈弧形，所述第二通孔5的上端开口大于所述第二通孔5的下端开口；步骤七S07，在所述色阻层3上通过化学气相沉积工艺形成第二钝化层6；步骤八S08，采用涂布、曝光工艺在第二钝化层6上形成光阻10，通过蚀刻工艺蚀刻掉没有被所述光阻10遮挡的所述第一钝化层2和第二钝化层6，在所述第一钝化层2上形成第一通孔4，在所述第二钝化层6上形成第三通孔7，所述第一通孔4、第二通孔5以及第三通孔7连通构成导通孔8，所述第一通孔4的孔径小于第三通孔7的孔径，使得第一钝化层2以及第二钝化层6之间形成有错开区域11；步骤九S09，通过剥离工艺剥离所述第二钝化层6上的所述光阻10，并且通过物理气相沉积工艺在所述第二钝化层6上、所述导通孔8内壁以及通过所述导通孔8裸露出的所述源漏极金属层1上形成透明导电层9；步骤十S10，通过曝光、显影以及蚀刻后在所述透明导电层9进行图案化处理形成像素电极。

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