龙图腾网恭喜昆山国显光电有限公司申请的专利低温多晶硅薄膜及其制备方法及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN106328497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-05-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201610970309.2，技术领域涉及：H01L21/02(20060101)；该发明授权低温多晶硅薄膜及其制备方法及显示装置是由王鹏设计研发完成，并于2016-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本低温多晶硅薄膜及其制备方法及显示装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低温多晶硅薄膜制备方法，包括以下步骤：在透光基板的上面沉积保温层以及在所述保温层的表面沉积非晶硅薄膜；用红外光线以至少一个聚光形式照射于所述透光基板的下表面，以使所述保温层的温度周期性分布；对所述非晶硅薄膜进行激光照射，使得所述非晶硅薄膜晶化。上述低温多晶硅薄膜的制作方法制备出的低温多晶硅薄膜晶粒尺寸大，分布均匀，具有优良的电学性能。此外，该方法充分利用了准分子激光能量，有利于降低生产成本，利于实现大规模低成本生产。

本发明授权低温多晶硅薄膜及其制备方法及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在透光基板的上面沉积保温层以及在所述保温层的表面沉积非晶硅薄膜；所述透光基板的下面具有微透镜阵列，所述微透镜阵列包括凸透镜结构，所述凸透镜结构的焦点位置位于所述保温层内；用红外光线穿过所述凸透镜结构以至少一个聚光形式照射于所述透光基板的下表面，以使所述保温层的温度周期性分布；对所述非晶硅薄膜进行激光照射，使得所述非晶硅薄膜晶化，晶化过程中冷却阶段所述非晶硅薄膜各处冷却速率呈现与所述保温层对应的周期性分布，从而所述非晶硅薄膜内部形成温度梯度。

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