龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107204329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-05-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201710039145.6，技术领域涉及：H01L23/64(20060101)；该发明授权半导体器件是由刘铭棋设计研发完成，并于2017-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括第一电极层和第二电极层。第一电极层沿第一方向延伸。第二电极层沿第一方向延伸为与第一电极层不同的长度，并且在第二方向上相对于第一电极层的中心线对称。第二电极层与第一电极层构成电容器。本发明实施例涉及半导体器件。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一电极层，沿第一方向延伸；第二电极层，沿所述第一方向延伸为与所述第一电极层不同的长度，与所述第一电极层构成电容器，并且相对于所述第一电极层的中心线对称，所述第一电极层的中心线在第二方向上；介电层，位于所述第一电极层和第二电极层之间；以及阱，所述阱具有凹槽，所述第一电极层的一部分和所述第二电极层的一部分在所述阱的所述凹槽中形成，其中，所述第一电极层、所述介电层和所述第二电极层彼此共形并且均与所述阱的上表面的形状共形；其中，所述第二电极层暴露所述第一电极层的终端部分，所述终端部分包括：侧壁；表面；以及拐角，将所述侧壁与所述表面连接，其中，所述拐角为圆弧形。

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