龙图腾网恭喜江苏盖姆纳米材料科技有限公司申请的专利一种场效应晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN210866187U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-06-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：201922329332.5，技术领域涉及：H01L29/78(20060101)；该实用新型一种场效应晶体管是由张凯;沈文;董卓;许毅设计研发完成，并于2019-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种场效应晶体管在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种场效应晶体管，属于微纳加工技术领域。包括衬底、导电沟道、源电极、漏电极、三氧化二铝栅介质层和栅电极，所述衬底上设有介质层，所述导电沟道设于介质层上，所述源电极和漏电极分别位于导电沟道的两侧，源电极、漏电极和裸露的导电沟道表面覆盖一层种子层，所述栅介质层设于种子层上，所述栅电极设于栅介质层上。所述导电沟道为二维材料导电沟道。所述衬底为高阻本征硅衬底。所述介质层为二氧化硅介质层。本申请在器件表面采用ALD沉积高K介质Al2O3作为顶栅介质层，不仅简化了工艺步骤，减小了工艺对二维材料导电沟道的损伤；而且在不改变顶栅介质层功能的同时减小了栅介质层的厚度，提高了器件性能。

本实用新型一种场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，其特征在于：包括衬底、导电沟道、源电极5、漏电极6、三氧化二铝栅介质层4和栅电极7，所述衬底上设有介质层，所述导电沟道设于介质层上，所述源电极5和漏电极6分别位于导电沟道两侧，所述源电极5、漏电极6和裸露的导电沟道表面覆盖种子层8，所述栅介质层4设于种子层8上，所述栅电极7设于栅介质层4上。

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