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恭喜深圳华矽电子有限公司"散热性能高的半导体三极管"专利获国家实用新型专利权

龙图腾网恭喜深圳华矽电子有限公司申请的专利散热性能高的半导体三极管获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN210866160U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-06-26发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:201922371482.2,技术领域涉及:H01L23/367(20060101);该实用新型散热性能高的半导体三极管是由陈华军设计研发完成,并于2019-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

散热性能高的半导体三极管在说明书摘要公布了:本实用新型涉及半导体三极管技术领域,公开了一种散热性能高的半导体三极管,包括三极管本体、IC芯片、引脚以及散热块,三极管本体的外侧壁凹设有一容置槽,IC芯片和散热块依次嵌设于容置槽内设置,且散热块位于IC芯片的上端部设置,引脚分别竖直平行的设置于三极管本体的下端壁上,IC芯片分别与引脚电连接,且IC芯片和散热块的外侧壁分别与容置槽的内侧壁间隔连接。本实用新型的技术方案能够有效解决IC芯片的发热的问题,提高了IC芯片的散热能力,从而提高了三极管的性能可靠性,延长了使用寿命,且结构简单,组合封装方便,实用性强。

本实用新型散热性能高的半导体三极管在权利要求书中公布了:1.一种散热性能高的半导体三极管,其特征在于,包括三极管本体、IC芯片、引脚以及散热块,所述三极管本体的外侧壁凹设有一容置槽,所述IC芯片和散热块依次嵌设于所述容置槽内设置,且所述散热块位于所述IC芯片的上端部设置,所述引脚分别竖直平行的设置于所述三极管本体的下端壁上,所述IC芯片分别与所述引脚电连接,且所述IC芯片和散热块的外侧壁分别与所述容置槽的内侧壁间隔连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳华矽电子有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市龙华新区龙华街道上油松村尚游公馆2120-2121室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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