龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利一种用于在基片上沉积膜的基片处理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108642474B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810478814.4，技术领域涉及：C23C16/44(20060101)；该发明授权一种用于在基片上沉积膜的基片处理系统是由赛沙·瓦拉达拉简;尚卡·斯瓦米纳坦;桑格伦特·桑普伦格;弗兰克·帕斯夸里;泰德·明歇尔;阿德里安·拉瓦伊;穆罕默德·萨布里;科迪·巴尼特设计研发完成，并于2015-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于在基片上沉积膜的基片处理系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于在基片上沉积膜的基片处理系统，包括：处理室，其限定反应体积并包括用于支撑所述基片的基片支撑件；气体输送系统，其被配置为将处理气体引入所述处理室的所述反应体积；等离子体发生器，其被配置为有选择地生成在所述反应体积内的RF等离子体；夹紧系统，其被配置为在所述膜的沉积期间将所述基片夹紧到所述基片支撑件上；背面净化系统，其被配置为在所述膜的沉积期间以及所述RF等离子体在所述反应体积内的生成期间，将反应气体而不是惰性气体作为净化气体供应到所述基片的背面边缘，以净化所述背面边缘。

本发明授权一种用于在基片上沉积膜的基片处理系统在权利要求书中公布了：1.一种用于在基片上沉积膜的基片处理系统，包括：处理室，所述处理室限定反应体积并包括用于支撑所述基片的基片支撑件；气体输送系统，所述气体输送系统被配置为将处理气体引入所述处理室的所述反应体积；等离子体发生器，所述等离子体发生器被配置为有选择地生成在所述反应体积内的RF等离子体；夹紧系统，所述夹紧系统被配置为在所述膜的沉积期间将所述基片夹紧到所述基片支撑件上；和背面净化系统，所述背面净化系统被配置为在所述膜的沉积期间以及所述RF等离子体在所述反应体积内的生成期间，将反应气体而不是惰性气体作为净化气体供应到所述基片的背面边缘，以净化所述背面边缘，其中，为了供应所述净化气体，所述背面净化系统被配置为使所述净化气体以150sccm至450sccm的速率流动，以在所述RF等离子体的生成期间净化所述背面边缘，所述背面净化系统被配置为提供分子氧作为所述净化气体，并且所述背面净化系统被配置为提供所述分子氧作为所述净化气体以i在所述RF等离子体在所述反应体积内的生成期间抑制靠近所述背面边缘的等离子体点亮和空心阴极放电特征中的至少一个，并且ii抑制与所述净化气体相关的寄生功率损失。

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