龙图腾网恭喜斯考皮欧技术有限公司申请的专利利用柔顺树脂的半导体接合以及使用氢注入用于转移晶片去除获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107078091B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201580055982.7，技术领域涉及：H01L21/683(20060101)；该发明授权利用柔顺树脂的半导体接合以及使用氢注入用于转移晶片去除是由达米安·兰贝特;约翰·施潘;斯蒂芬·克拉苏利克设计研发完成，并于2015-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用柔顺树脂的半导体接合以及使用氢注入用于转移晶片去除在说明书摘要公布了：具有柔顺树脂的转移基底用于将一个或更多个芯片接合至目标晶片。在转移基底中形成有注入区。转移基底的一部分被蚀刻以形成耸立部。柔顺材料被施加至转移基底。芯片固定至柔顺材料，其中芯片固定至耸立部上方的柔顺材料。芯片在芯片被固定至柔顺材料的情况下被接合至目标晶片。从芯片去除转移基底和柔顺材料。转移基底对UV光是不透明的。

本发明授权利用柔顺树脂的半导体接合以及使用氢注入用于转移晶片去除在权利要求书中公布了：1.一种使用柔顺树脂将芯片接合至半导体的方法，所述方法包括：在转移基底中形成注入区，其中所述注入区形成在所述转移基底中的第一深度处；蚀刻所述转移基底的一部分以形成耸立部，其中：所述转移基底的经蚀刻的所述一部分被蚀刻至第二深度；相对于所述转移基底的表面，所述第二深度大于所述第一深度；以及所述耸立部的部分未被蚀刻至所述第二深度，使得所述耸立部包括所述注入区的一部分；将所述柔顺树脂施加至所述转移基底；将芯片固定至所述柔顺树脂，其中所述芯片被固定至所述耸立部上方的所述柔顺树脂；去除所述柔顺树脂的过量部分，其中：所述柔顺树脂的所述过量部分包括不在所述耸立部与所述芯片之间的材料；去除所述柔顺树脂的所述过量部分留下所述柔顺树脂的柱；以及所述柔顺树脂的所述柱在所述耸立部与所述芯片之间；将所述芯片接合至目标晶片，其中在所述芯片被固定至所述柔顺树脂的所述柱时执行将所述芯片接合至所述目标晶片；使所述转移基底在所述注入区处断裂，使得所述耸立部的剩余部分能够与所述转移基底分离；将所述转移基底从所述耸立部的所述剩余部分去除，其中所述耸立部的所述剩余部分连接至所述柔顺树脂的所述柱；将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺树脂的所述柱去除，其中在将所述转移基底从所述耸立部的所述剩余部分去除之后，将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺树脂的所述柱去除；以及将所述柔顺树脂的所述柱从所述芯片去除，其中在将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺树脂的所述柱去除之后，执行将所述柔顺树脂的所述柱从所述芯片去除。

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