龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN105679359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201510451455.X，技术领域涉及：G11C11/406(20060101)；该发明授权半导体存储器件是由李星烨;池性洙设计研发完成，并于2015-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器件在说明书摘要公布了：公开了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括存储体和刷新操作控制单元。存储体包括多个字线。刷新操作控制单元适用于响应智能刷新命令而对多个字线中的目标字线的第一相邻字线组执行第一刷新操作，并在第一刷新操作之后对目标字线的第二相邻字线组执行第二刷新操作。

本发明授权半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括：存储体，包括多个字线；刷新操作控制单元，适用于：响应智能刷新命令而对所述多个字线中的目标字线的第一相邻字线组执行预定次数的第一刷新操作，并在所述第一刷新操作之后对所述目标字线的第二相邻字线组执行第二刷新操作，其中，当所述目标字线对应于第N字线时，所述第一相邻字线组包括第N-1字线和第N+1字线并且所述第二相邻字线组包括第N-2字线和第N+2字线。

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