龙图腾网恭喜肖特股份有限公司申请的专利包括片状不连续元件的蓄电系统、片状不连续元件及其制造方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN106463659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201580034119.3，技术领域涉及：H01M2/02(20060101)；该发明授权包括片状不连续元件的蓄电系统、片状不连续元件及其制造方法和应用是由U·普切尔特;R·理拜德;M·孔泽;T·达姆;C·欧特曼;N·舒尔茨设计研发完成，并于2015-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括片状不连续元件的蓄电系统、片状不连续元件及其制造方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种包括至少一个不连续的片状元件的蓄电系统及其制造，该片状元件对于优选在200至400nm波长范围内的高能量的电磁辐射具有特别低的透射度；本发明还涉及一种不连续的片状元件及其制造，该片状元件对于优选在200至400nm波长范围内的高能量的电磁辐射具有特别低的透射度。

本发明授权包括片状不连续元件的蓄电系统、片状不连续元件及其制造方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种蓄电系统，所述蓄电系统包括至少一个片状不连续元件，所述片状不连续元件在30μm的厚度下具有这样的透过率：对于在200nm至270nm的范围内的电磁辐射波长具有20％或更小的透过率，和或在222nm时2.0％或更小的透过率，和或在248nm时1.0％或更小的透过率，和或在282nm时50％或更小的透过率，和或在308nm时85％或更小的透过率，和或在351nm时92％或更小的透过率；和或在100μm的厚度下具有这样的透过率：对于在200至270nm范围内的电磁辐射波长具有3％或更小的透过率，和或在222nm时为3.0％或更小的透过率，和或在248nm时为3.0％或更小的透过率，和或在282nm时为20％或更小的透过率，和或在308nm时为75％或更小的透过率，和或在351nm时为92％或更小的透过率；并且所述至少一个片状不连续元件呈现的总厚度偏差相对于所述片状不连续元件尺寸为不大于25μm，所述片状不连续元件尺寸在直径100mm的范围内，其中，所述片状不连续元件选自下述以重量％表示的组成范围： 成分 范围 SiO2 30-85 Al2O3 0-15 B2O3 3-20 Na2O 3-15 K2O 3-15 CaO 0-0.1 ZnO 0-12 TiO2 0.5-10 其中，所述片状不连续元件在表征准分子激光的至少一个电磁辐射波长下具有降低的透射度，从而所述片状不连续元件特别好地吸收了高能激光提供的能量，并将其转化为热能，该热能用于所述蓄电系统的至少一个功能层的热学后处理。

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