龙图腾网恭喜联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN106328507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201510336284.6，技术领域涉及：H01L21/28(20060101)；该发明授权半导体元件及其制作方法是由李秋德;林克峰;李年中;黄庆男;黄世腾;刘明彦设计研发完成，并于2015-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件的制作方法为，首先提供一基底，然后形成一掺杂区于基底中，形成一热氧化层于基底及掺杂区上，去除热氧化层以形成一第一凹槽，形成一外延层于基底上并填入第一凹槽内，以及形成一栅极介电层于外延层中。

本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；形成一掺杂区于该基底中；形成一热氧化层于该基底及该掺杂区上；去除该热氧化层以形成一第一凹槽；形成一外延层于该基底上并填入该第一凹槽内而于该外延层中形成一第二凹槽；以及形成一栅极介电层于该第二凹槽内且与该外延层的上表面齐平。

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