龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利晶体管以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN106165106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201580016956.3，技术领域涉及：H01L29/786(20060101)；该发明授权晶体管以及半导体装置是由山崎舜平;坂仓真之设计研发完成，并于2015-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管以及半导体装置在说明书摘要公布了：本发明可以提供一种寄生电容小的晶体管。可以提供一种频率特性高的晶体管。可以提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种晶体管，包括氧化物半导体、第一导电体、第二导电体、第三导电体、第一绝缘体以及第二绝缘体。第一导电体具有第一导电体与氧化物半导体隔着第一绝缘体相互重叠的第一区域、第一导电体与第二导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的第二区域以及第一导电体与第三导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的第三区域。氧化物半导体包括该氧化物半导体与第二导电体接触的第四区域以及该氧化物半导体与第三导电体接触的第五区域。

本发明授权晶体管以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，包括：包含铟、镓和锌的氧化物半导体；第一导电体；第二导电体；第三导电体；第一绝缘体；以及所述第二导电体和所述第三导电体上且与所述第二导电体和所述第三导电体接触的第二绝缘体，在所述氧化物半导体上所述第二绝缘体具有开口，其中，在所述第二绝缘体的所述开口的内部具有所述第一绝缘体的一部分，所述第一导电体包括第一区域、第二区域以及第三区域，所述第一区域包括所述第一导电体隔着所述第一绝缘体的所述一部分而与所述氧化物半导体重叠的区域，所述第二区域包括所述第一导电体隔着所述第一绝缘体及所述第二绝缘体而与所述第二导电体重叠的区域，所述第三区域包括所述第一导电体隔着所述第一绝缘体及所述第二绝缘体而与所述第三导电体重叠的区域，所述氧化物半导体包括第四区域以及第五区域，所述第四区域包括所述氧化物半导体与所述第二导电体接触的区域，所述第五区域包括所述氧化物半导体与所述第三导电体接触的区域，在沟道宽度方向的截面中，所述第一导电体的底面具有不与所述氧化物半导体重叠的区域，并且所述第一导电体的所述底面的所述区域位于所述氧化物半导体的底面之下。

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