富士胶片电子材料有限公司横沟贵宏获国家专利权
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龙图腾网获悉富士胶片电子材料有限公司申请的专利蚀刻剂、蚀刻方法和蚀刻剂制备液获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN105378901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201480038367.0，技术领域涉及：H01L21/308(20060101)；该发明授权蚀刻剂、蚀刻方法和蚀刻剂制备液是由横沟贵宏;鹤本浩之;柿泽政彦设计研发完成，并于2014-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻剂、蚀刻方法和蚀刻剂制备液在说明书摘要公布了：本发明的课题在于提供一种半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂和蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂制备液，所述钛系金属用蚀刻剂即使在用于具有钛系金属和金属铜或铜合金的半导体基板的情况下，也可抑制过氧化氢的分解，溶液寿命长，控制蚀刻剂中的过氧化氢的浓度的必要性小。本发明涉及半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂、以使用该蚀刻剂为特征的蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂制备液，该半导体基板具有钛系金属和位于该钛系金属的上部的金属铜或铜合金，该钛系金属用蚀刻剂为至少包含A过氧化氢、B结构中具有氮原子的膦酸系螯合剂、C碱金属氢氧化物、以及D具有至少1个羟基和至少3个羧基的有机酸的水溶液。
本发明授权蚀刻剂、蚀刻方法和蚀刻剂制备液在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂，该半导体基板具有钛系金属和位于该钛系金属的上部的金属铜或铜合金，该钛系金属用蚀刻剂为至少包含下述A、B、C和D且pH范围为中性或碱性的水溶液，A过氧化氢，B选自由次氮基三亚甲基膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸和它们的混合物组成的组中的、结构中具有氮原子的膦酸系螯合剂，C选自由氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾和它们的混合物组成的组中的碱金属氢氧化物，D柠檬酸。
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