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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利多电压识别(VID)功率架构、数字可合成低压差调节器及用于改善功率门可靠性的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107066069B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201610882991.X，技术领域涉及：G06F1/3234(20190101)；该发明授权多电压识别(VID)功率架构、数字可合成低压差调节器及用于改善功率门可靠性的装置是由R·穆图卡鲁帕恩;H·K·克里希纳穆尔蒂;M·维尔马;P·帕特拉;U·B·卡达利设计研发完成，并于2014-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本多电压识别(VID)功率架构、数字可合成低压差调节器及用于改善功率门可靠性的装置在说明书摘要公布了：本发明涉及多电压识别VID功率架构、数字可合成低压差调节器及用于改善功率门可靠性的装置。所描述的是一种装置，包括：第一和第二处理核以及PCU，所述PCU用于：为装置外部的管芯外调节器产生第一VID，第一VID导致产生用于第一处理核的第一电源；并产生不同于第一VID的第二VID，第二VID导致产生用于第二处理核的第二电源。所描述的是一种装置，包括：可由数字总线控制的多个功率门晶体管，所述多个功率门晶体管用于为处理核提供第一电源，并接收作为输入的第二电源；ADC用于接收第一电源，并产生代表第一电源的数字输出；以及用于接收代表的数字输出、并产生用于控制所述多个功率门晶体管的数字总线的控制器。

本发明授权多电压识别(VID)功率架构、数字可合成低压差调节器及用于改善功率门可靠性的装置在权利要求书中公布了：1.一种用于电压调节的装置，包括：第一芯片上处理核，其具有第一调压器，所述第一调压器用于向所述第一芯片上处理核的负载提供第一电源；第二芯片上处理核，其具有第二调压器，所述第二调压器用于向所述第二芯片上处理核的负载提供第二电源；以及耦合到所述第一芯片上处理核和所述第二芯片上处理核的功率控制电路，其中所述功率控制电路用于向芯片外调压器设置外部电压识别符eVID，所述芯片外调压器用于向所述第一调压器和所述第二调压器提供输入电源，其中所述功率控制电路用于至少部分地基于所述第一芯片上处理核和所述第二芯片上处理核的性能水平生成所述eVID，其中所述功率控制电路用于为所述第一芯片上处理核设置第一内部VIDiVID，其中所述功率控制电路用于将第二iVID设置到所述第二芯片上处理核，其中所述第一iVID和所述第二iVID用于分别调节与所述第一调压器和所述第二调压器相关联的第一参考和第二参考，并且其中所述第一芯片上处理核、第二芯片上处理核以及第一调压器和第二调压器在同一芯片上。

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