龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利栅极对准接触部及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN105870191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201610305963.1，技术领域涉及：H01L29/78(20060101)；该发明授权栅极对准接触部及其制造方法是由O·戈隆茨卡;S·希瓦库马;C·H·华莱士;T·加尼设计研发完成，并于2011-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅极对准接触部及其制造方法在说明书摘要公布了：描述了栅极对准接触部和形成栅极对准接触部的方法。例如，制造半导体结构的方法包括在形成于衬底之上的有源区之上形成多个栅极结构。栅极结构每个均包括栅极电介质层、栅极电极和侧壁间隔体。多个接触插塞被形成，每个接触插塞直接在多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的侧壁间隔体之间形成。多个接触部被形成，每个接触部直接在多个栅极结构的两个相邻栅极结构的侧壁间隔体之间形成。多个接触部和多个栅极结构在形成所述多个接触插塞之后形成。

本发明授权栅极对准接触部及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：多个栅极结构，所述多个栅极结构中的每一个均布置在衬底的三维有源区之上，而不布置在隔离区之上，所述多个栅极结构中的每一个均包括栅极电介质层、栅极电极、侧壁间隔体和位于所述侧壁间隔体之间且与所述侧壁间隔体横向相邻的电介质盖层，其中所述侧壁间隔体包括第一电介质材料，其中所述电介质盖层包括独立于所述第一电介质材料的第二电介质材料，并且其中所述侧壁间隔体的所述第一电介质材料与所述电介质盖层的所述第二电介质材料在基本竖直的界面处相交；多个接触部，所述多个接触部中的每一个均直接布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间并且均布置在所述三维有源区之上，而不布置在所述隔离区之上，并且所述多个接触部中的每一个的顶表面与所述多个栅极结构的所述电介质盖层的顶表面基本上共面；以及多个接触插塞，所述多个接触插塞中的每一个均直接布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间，并且所述多个接触插塞中的每一个的顶表面与所述多个栅极结构的所述电介质盖层的所述顶表面基本上共面且与所述多个接触部的所述顶表面基本上共面。

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