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恭喜中国地质大学(武汉)"基于MEMS工艺的内嵌式双层压力敏感膜、FP腔光纤声传感器"专利获国家实用新型专利权

龙图腾网恭喜中国地质大学(武汉)申请的专利基于MEMS工艺的内嵌式双层压力敏感膜、FP腔光纤声传感器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN211527597U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-18发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202020069572.6,技术领域涉及:G01H9/00(20060101);该实用新型基于MEMS工艺的内嵌式双层压力敏感膜、FP腔光纤声传感器是由周俐娜;江致兴;刘滕设计研发完成,并于2020-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

基于MEMS工艺的内嵌式双层压力敏感膜、FP腔光纤声传感器在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种基于MEMS工艺的内嵌式双层压力敏感膜,包括软膜和嵌入软膜内部的介质硬膜,所述软膜的直径大于介质硬膜的直径,所述软膜为由PDMS制成的橡胶膜或硅胶膜,所述介质硬膜包括若干第一介质层和若干第二介质层,所述第一介质层的折射率大于第二介质层的折射率,所述第一介质层和第二介质层由下至上依次交替层叠。本实用新型还提供一种FP腔光纤声传感器,利用该声传感器收集透射光进行解调时,由于薄膜工艺使FP腔两个腔面的反射率接近99%,因此透射光谱为锐利的梳状谱线,此时,接收透射光,通过对光信号解调得到声压信号。本实用新型制作出的敏感膜外周形变量大,光纤模场直径范围内区域几乎无形变且反射率高。

本实用新型基于MEMS工艺的内嵌式双层压力敏感膜、FP腔光纤声传感器在权利要求书中公布了:1.一种基于MEMS工艺的内嵌式双层压力敏感膜,其特征在于,包括软膜和嵌入软膜内部的介质硬膜,所述软膜的直径大于介质硬膜的直径,使得软膜和介质硬膜形成内嵌式结构,所述介质硬膜包括若干第一介质层和若干第二介质层,所述第一介质层的折射率大于第二介质层的折射率,所述第一介质层和第二介质层由下至上依次交替层叠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国地质大学(武汉),其通讯地址为:430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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