恭喜三星电子株式会社"半导体器件"专利获国家发明授权专利权
龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN106057890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2021-01-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201610169618.X,技术领域涉及:H01L29/78(20060101);该发明授权半导体器件是由刘庭均;李炯宗;金盛民;张锺光设计研发完成,并于2016-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了:公开了一种半导体器件,所述半导体器件包括:第一和第二鳍图案,通过第一沟槽隔开;栅电极,与第一和第二鳍图案交叉;和接触件,在栅电极的至少一侧上,接触件接触第一鳍图案,接触件具有不接触第二鳍图案的底表面,在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度,在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度,第一高度小于第二高度。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,所述半导体器件包括:第一鳍图案和第二鳍图案,由第一沟槽隔开,第一鳍图案和第二鳍图案沿第一方向延伸;栅电极,沿第二方向延伸,栅电极与第一鳍图案和第二鳍图案交叉;以及接触件,在栅电极的至少一侧上,接触件接触第一鳍图案,接触件具有不接触第二鳍图案的底表面,在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度,在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度,第一高度小于第二高度。
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