龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN106067415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2021-01-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201610127355.6，技术领域涉及：H01L21/04(20060101)；该发明授权碳化硅半导体装置的制造方法是由吉川功;中泽治雄;井口研一;关康和设计研发完成，并于2016-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种碳化硅半导体装置的制造方法。在利用激光将p型杂质注入到SiC基板的情况下，难以控制浓度。因此，在SiC基板的不需要控制浓度的区域中，通过激光形成p型的杂质区。由此，通过温度比离子注入工艺更低的工艺来制造高耐压的SiC半导体装置。提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，具备以下步骤：在第一导电型的碳化硅基板的一侧的主面形成第一导电型的漂移层，该第一导电型的漂移层的浓度比碳化硅基板更低；在漂移层的正面侧，通过激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区；以与漂移层接触的方式形成肖特基电极；以及在碳化硅基板的另一侧的主面形成阴极电极。

本发明授权碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，具备以下步骤：在第一导电型的碳化硅基板的一侧的主面形成第一导电型的漂移层，该第一导电型的漂移层的浓度比所述碳化硅基板更低；在所述漂移层的正面侧，通过激光掺杂技术形成第二导电型的电场控制区；以与所述漂移层接触的方式形成肖特基电极；以及在所述碳化硅基板的另一侧的主面形成阴极电极，所述电场控制区包括：在所述漂移层与所述肖特基电极接触的区域的外周部形成的环状的电场缓和区、比所述电场缓和区更靠近内周侧而选择性地形成的结势垒区、比环状的所述电场缓和区更靠近外周侧而设置的一个以上的场限环、以及比所述一个以上的场限环更靠近外周侧而设置的环状的沟道阻止区，所述电场缓和区、所述结势垒区、所述场限环和所述沟道阻止区在同一个步骤中形成。

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