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恭喜东京应化工业株式会社"蚀刻组合物及传导膜的制造方法"专利获国家发明授权专利权

龙图腾网恭喜东京应化工业株式会社申请的专利蚀刻组合物及传导膜的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN106256872B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2021-01-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201610431454.3,技术领域涉及:C09K13/00(20060101);该发明授权蚀刻组合物及传导膜的制造方法是由千坂博树;野田国宏;三隅浩一;盐田大设计研发完成,并于2016-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

蚀刻组合物及传导膜的制造方法在说明书摘要公布了:本发明涉及蚀刻组合物及传导膜的制造方法。本发明的课题在于提供可抑制基板表面的铜等的腐蚀的蚀刻组合物、及使用该蚀刻组合物的传导膜的制造方法。本发明的蚀刻组合物含有氧化剂、水、及下述通式1a表示的腐蚀抑制剂。式1a中,R各自独立地表示氢原子或1价的有机基团,R2表示可以具有取代基的芳香族基,R4各自独立地表示卤素原子、羟基、巯基、硫醚基、甲硅烷基、硅烷醇基、硝基、亚硝基、磺酸盐酯基、膦基、氧膦基、膦酸盐酯基、或有机基团,n表示0~3的整数。上述R可以与另一个R或R2键合而形成环状结构。

本发明授权蚀刻组合物及传导膜的制造方法在权利要求书中公布了:1.蚀刻组合物,其含有氧化剂、水、及下述通式1表示的腐蚀抑制剂,所述氧化剂包含含卤素化合物、辅助氧化剂、及蚀刻调节剂,所述含卤素化合物包含选自卤化氢、卤化铵、卤化铁及碱金属卤化物中的至少一种,所述辅助氧化剂包含在所述蚀刻组合物中解离出硝酸离子即NO3-的化合物,所述蚀刻调节剂包含在所述蚀刻组合物中解离出硫酸离子即SO4-的化合物,相对于所述蚀刻组合物的质量,所述含卤素化合物的含量为0.05质量%以上且15质量%以下,相对于所述蚀刻组合物的质量,所述辅助氧化剂的含量为0.1质量%以上且20质量%以下,相对于所述蚀刻组合物的质量,所述蚀刻调节剂的含量为0.05质量%以上且15质量%以下,所述腐蚀抑制剂的含量为0.1质量%~10质量%, 式1中,R2表示具有取代基的芳香族基,所述取代基为碳原子数1~12的烷氧基,R4各自独立地表示:卤素原子、羟基、巯基、硫醚基、甲硅烷基、硅烷醇基、硝基、亚硝基、磺酸盐酯基、膦基、氧膦基、膦酸盐酯基;包含杂原子或不含杂原子的、烷基、链烯基、环烷基、环烯基、芳基、或芳烷基;氰基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、烷氧基、烷氧基羰基、氨基、单烷基氨基、二烷基氨基、单芳基氨基、二芳基氨基、氨基甲酰基、硫代氨基甲酰基、羧酸盐酯基、酰基、酰基氧基、亚磺基、烷基醚基、链烯基醚基、烷基硫醚基、链烯基硫醚基、芳基醚基、或者芳基硫醚基,n表示0~3的整数;R1表示氢原子或碳原子数1~20的烷基,R3表示碳原子数1~20的亚烷基。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人东京应化工业株式会社,其通讯地址为:日本神奈川县;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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