龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN106356409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2021-01-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201610394268.7，技术领域涉及：H01L29/861(20060101)；该发明授权半导体装置是由小川恵理;中川明夫设计研发完成，并于2016-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，实现二极管元件的反向恢复耐受量的提高。半导体装置具备第一导电型的漂移层1；第二导电型的阳极区3，其设置于漂移层1的上部；绝缘膜10，其设置于漂移层1之上；阳极电极12，其具有穿过贯通绝缘膜10的接触孔11来与阳极区3进行欧姆连接的欧姆连接部分12a；以及肖特基电极8，其与阳极区3的周边部进行肖特基接合。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的漂移层；第二导电型的阳极区，其设置于所述漂移层的上部；绝缘膜，其设置于所述漂移层之上；阳极电极，其具有穿过贯通所述绝缘膜的接触孔来与所述阳极区进行欧姆连接的欧姆连接部分；以及肖特基电极，其与所述阳极区的周边部分进行肖特基接合并且所述肖特基电极的势垒高度高于所述阳极电极的势垒高度。

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