龙图腾网恭喜华羿微电子股份有限公司申请的专利一种Trench VDMOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN212587515U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2021-02-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202022317533.6，技术领域涉及：H01L29/78(20060101)；该实用新型一种Trench VDMOS器件是由夏亮设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Trench VDMOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种TrenchVDMOS器件，涉及半导体功率器件技术领域。用于解决因TrenchVDMOS极限工艺能力和TrenchVDMOS结构的特殊性，导致元胞最小尺寸只能做到0.8微米的问题。该器件包括：沟槽、第一导电类型漂移层、第一导电类型体区、第二导电类型源区、第一导电类型重掺杂区、接触孔；多个所述沟槽位于所述第一导电类型漂移层内；所述第一导电类型体区位于所述第一导电类型漂移层内，且位于所述沟槽两侧；第二导电类型源区在所述沟槽的长度方向与所述第一导电类型重掺杂区间隔排列；所述接触孔的下表面与所述第一导电类型重掺杂区的上表面相接触。

本实用新型一种Trench VDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种TrenchVDMOS器件，其特征在于，包括：沟槽、第一导电类型漂移层、第一导电类型体区、第二导电类型源区、第一导电类型重掺杂区、接触孔；多个所述沟槽位于所述第一导电类型漂移层内；所述第一导电类型体区位于所述第一导电类型漂移层内，且位于所述沟槽两侧；第二导电类型源区在所述沟槽的长度方向与所述第一导电类型重掺杂区间隔排列；所述接触孔的下表面与所述第一导电类型重掺杂区的上表面相接触。

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