龙图腾网恭喜昆明理工大学申请的专利一种硅熔体可控凝固去除杂质元素的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111762786B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2022-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010669322.0，技术领域涉及：C01B33/037；该发明授权一种硅熔体可控凝固去除杂质元素的方法是由魏奎先;邓小聪;马文会;吕国强设计研发完成，并于2020-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅熔体可控凝固去除杂质元素的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅熔体可控凝固去除杂质元素的方法，属于工业硅冶炼技术领域。本发明将硅熔体连续匀速加入到定向凝固连铸装置中，控制硅熔体的温度和流速、凝固速度以实现杂质元素的偏析富集，得到杂质元素含量梯级分布的硅锭产品，对硅锭产品进行取样检测，确定杂质元素含量梯级分布的节点，并对硅锭进行分级处理得到不同杂质元素总质量含量的各牌号等级的工业硅产品，其中杂质元素包括Al、Ca、Mn、Ti、Mg、P、B、S、V、Cr、Ni、Cu、Zn、Zr中的一种或多种。本发明可与现有的工业硅冶炼、硅熔体炉外精炼提纯的过程相结合，对硅熔体直接进行高效提纯，实现硅熔体中杂质元素的同步高效去除，精炼提纯后可将硅产品的等级提高2‑3个等级。

本发明授权一种硅熔体可控凝固去除杂质元素的方法在权利要求书中公布了：1.一种硅熔体可控凝固去除杂质元素的方法，其特征在于，具体步骤如下：将硅熔体连续匀速加入到定向凝固连铸装置中，控制硅熔体的温度和流速、凝固速度以实现杂质元素的偏析富集，得到杂质元素含量梯级分布的硅锭产品，对硅锭产品进行取样检测，确定杂质元素含量梯级分布的节点，并对硅锭进行分级处理得到不同杂质元素总质量含量的各牌号等级的工业硅产品，其中杂质元素包括Al、Ca、Mn、Ti、Mg、S、V、Cr、Ni、Cu、Zn、Zr中的一种或多种；所述硅熔体的温度为1420-1650℃，硅熔体的流速为0.1kgs-7.5kgs，定向凝固速度为0.1cms-5cms。

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