恭喜南京芯干线科技有限公司徐吉获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京芯干线科技有限公司申请的专利一种分离栅沟槽MOS管器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN219738962U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202320893185.8，技术领域涉及：H01L29/423；该实用新型一种分离栅沟槽MOS管器件是由徐吉;傅玥;孔令涛设计研发完成，并于2023-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分离栅沟槽MOS管器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种分离栅沟槽MOS管器件，包括衬底和形成在所述衬底上的外延层，所述外延层内设有沟槽，所述沟槽的底部和部分的侧壁均设有第一氧化层；所述沟槽内沉积有第一栅极多晶硅层，所述第一栅极多晶硅层被分离为依次间隔设置的第一分离栅、第二分离栅和第三分离栅，所述第一分离栅和第二分离栅之间、以及所述第二分离栅和所述第三分离栅之间均设有第二氧化层；其中，所述第二分离栅用于连接源极。本实用新型的分离栅沟槽MOS管器件，将分离栅分成三个部分，第二分离栅用于外连接源极，第一分离栅和第三分离栅用于减弱第一氧化层角落产生尖峰电场，同时第二分离栅的宽度小于栅极的宽度，降低了电容提高了开关的速率。
本实用新型一种分离栅沟槽MOS管器件在权利要求书中公布了：1.一种分离栅沟槽MOS管器件，其特征在于：包括,衬底；形成在所述衬底上的外延层，所述外延层内设有沟槽，所述沟槽的底部和部分的侧壁均设有第一氧化层；所述沟槽内沉积有第一栅极多晶硅层，所述第一栅极多晶硅层被分离为依次间隔设置的第一分离栅、第二分离栅和第三分离栅，所述第一分离栅和第二分离栅之间、以及所述第二分离栅和所述第三分离栅之间均设有第二氧化层；其中，所述第二分离栅用于连接源极。
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