恭喜成都宏科电子科技有限公司彭小丽获国家专利权
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龙图腾网恭喜成都宏科电子科技有限公司申请的专利一种阻容一体多层器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN219738953U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202321049325.X，技术领域涉及：H01L23/64；该实用新型一种阻容一体多层器件是由彭小丽;李少奎;曹志学;黄琳;唐涛;张玮设计研发完成，并于2023-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阻容一体多层器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电子元器件技术领域，具体涉及一种阻容一体多层器件；包括陶瓷介质体、第一电极、内电极和阻容层，第一电极与陶瓷介质体连接，并位于陶瓷介质体的下表面，内电极设置于陶瓷介质体的内部，阻容层与陶瓷介质体连接，并位于陶瓷介质体的上表面，阻容层包括第二电极、薄膜电阻和第三电极，薄膜电阻设置于陶瓷介质体的上表面，第三电极与薄膜电阻的一端连接，第二电极与薄膜电阻的另一端连接，第二电极与第三电极之间设置有通道，通道将第二电极与第三电极隔离，陶瓷介质体具有圆形通孔，圆形通孔与内电极连通，通过上述结构的设置，实现了能够对产品容量的可调，满足特定安装空间的对容值的需求。
本实用新型一种阻容一体多层器件在权利要求书中公布了：1.一种阻容一体多层器件，其特征在于，包括陶瓷介质体、第一电极、内电极和阻容层，所述第一电极与所述陶瓷介质体连接，并位于所述陶瓷介质体的下表面，所述内电极设置于所述陶瓷介质体的内部，所述阻容层与所述陶瓷介质体连接，并位于所述陶瓷介质体的上表面；所述阻容层包括第二电极、薄膜电阻和第三电极，所述薄膜电阻设置于所述陶瓷介质体的上表面，所述第三电极与所述薄膜电阻的一端连接，所述第二电极与所述薄膜电阻的另一端连接，所述第二电极与所述第三电极之间设置有通道，所述通道将所述第二电极与所述第三电极隔离，所述陶瓷介质体具有圆形通孔，所述圆形通孔与所述内电极连通。
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