恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈光获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种用于IC芯片的ESD保护器件及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110867482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810986843.1，技术领域涉及：H01L29/06；该发明授权一种用于IC芯片的ESD保护器件及电子装置是由陈光;李宏伟;冯军宏;陈祺;李程;王晨坤;张飞龙设计研发完成，并于2018-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于IC芯片的ESD保护器件及电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于IC芯片的ESD保护器件及电子装置，该ESD保护器件包括：位于半导体衬底中具有第一导电类型的第一区域；位于第一区域中的主可控硅整流器，所述主可控硅整流器包括位于所述第一区域中的阳极侧单元和若干位于所述第一区域中的阴极侧单元，若干所述阴极侧单元布置在阳极侧单元周围，以使来自输入端的静电放电电流通过阳极侧单元后经由所述阴极侧单元从多个方向流至所述参考端；位于所述第一区域中的二极管串，所述二极管串包括若干布置在所述主可控硅整流器周围的二极管单元，用于辅助触发所述主可控硅整流器。该ESD保护器件可以适用于各种电压应用的IC器件，并且改善了多SCR应用中开启均匀性问题。该电子装置具有类似的优点。
本发明授权一种用于IC芯片的ESD保护器件及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种用于IC芯片的ESD保护器件，位于半导体衬底的一面，用于将静电放电电流从所述IC芯片的输入端导入至所述IC芯片的参考端，其特征在于，包括：位于所述半导体衬底中具有第一导电类型的第一区域；位于所述第一区域中的主可控硅整流器，所述主可控硅整流器包括位于所述第一区域中的阳极侧单元和若干位于所述第一区域中的阴极侧单元，若干所述阴极侧单元布置在所述阳极侧单元周围，以使来自所述输入端的静电放电电流通过所述阳极侧单元后经由所述阴极侧单元从多个方向流至所述参考端；位于所述第一区域中的二极管串，所述二极管串包括若干布置在所述主可控硅整流器周围的二极管单元，用于辅助触发所述主可控硅整流器。
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