买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉无锡华润微电子有限公司申请的专利半导体元器件的制造方法及半导体元器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957218B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811123051.8，技术领域涉及：H01L21/336；该发明授权半导体元器件的制造方法及半导体元器件是由于绍欣;金兴成;陈晓亮设计研发完成，并于2018-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体元器件的制造方法及半导体元器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体元器件的制造方法及半导体元器件，在浅槽的底面掺杂第一P型杂质，填充浅槽形成浅槽隔离结构，通过在衬底上形成绝缘介质层之后，通过第一次光刻定义出P型界面掺杂区的掺杂窗口，通过掺杂窗口掺杂第二P型杂质，以在衬底内形成第二P型界面掺杂区，然后再在绝缘介质层上形成多晶硅层，刻蚀多晶硅层和绝缘介质层形成栅氧化层和多晶硅栅。形成的P型界面掺杂区仅与半导体元器件的沟道区域有重叠区域，与半导体元器件的N型源区和N型漏区都没有重叠区域，这样不仅可以有效防止半导体元器件的漏电，还保证了器件的开启电压，工作电流和耐压能力。

本发明授权半导体元器件的制造方法及半导体元器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底形成浅槽；在所述浅槽的底面掺杂第一P型杂质，以形成P型底面掺杂区；填充所述浅槽形成浅槽隔离结构；在所述半导体衬底上形成绝缘介质层；通过第一光刻定义出P型界面掺杂区的掺杂窗口，所述掺杂窗口呈长方形；通过所述掺杂窗口掺杂第二P型杂质，以在所述半导体衬底内形成所述P型界面掺杂区；在所述绝缘介质层上形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层和绝缘介质层形成栅氧化层和多晶硅栅；在所述半导体衬底表面掺杂N型杂质，以在所述半导体衬底内形成N型源区和N型漏区；在所述半导体衬底表面，所述P型界面掺杂区在长度方向与所述N型源区和所述N型漏区的距离均为大于0的第一距离，所述P型界面掺杂区在宽度方向与所述N型源区和N型漏区之间的沟道宽度区域有大于0的第二距离的重叠区域，所述P型界面掺杂区在宽度方向与所述浅槽隔离结构有大于0的第三距离的重叠区域；其中，所述通过所述掺杂窗口掺杂第二P型杂质的步骤，包括通过所述掺杂窗口注入所述第二P型杂质。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡华润微电子有限公司，其通讯地址为：214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。