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龙图腾网获悉深圳市霍达尔仪器有限公司申请的专利一种基于MOSFET阵列的高速电子开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109217861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811298956.9，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种基于MOSFET阵列的高速电子开关是由吕文;刘婧婧设计研发完成，并于2018-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MOSFET阵列的高速电子开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于MOSFET阵列的高速电子开关，包括电阻R1、电容C2、二极管V15、可控硅V1和变压器T1，所述变压器T1的脚1连接电阻R13，电阻R13的另一端连接电容C5和电源端，变压器T1的脚7连接电阻R2、电阻R5、电阻R6、电容C2、电阻R9、可控硅V1的控制极、可控硅V5的控制极和可控硅V9的控制极，本发明是基于MOSFET阵列的高速电子开关，能够通过阵列来提高电路的电压和电流。

本发明授权一种基于MOSFET阵列的高速电子开关在权利要求书中公布了：1.一种基于MOSFET阵列的高速电子开关，包括电阻R1、电容C2、二极管V15、可控硅V1和变压器T1，其特征在于，所述变压器T1的脚1连接电阻R13，电阻R13的另一端连接电容C5和电源端，变压器T1的脚7连接电阻R2、电阻R5、电阻R6、电容C2、电阻R9、可控硅V1的控制极、可控硅V5的控制极和可控硅V9的控制极，变压器T1的脚5连接二极管V15的阴极，变压器T1的脚3连接变压器T2的脚1，电阻R5的另一端连接电阻R1、可控硅V1的阴极、可控硅V5的阴极、可控硅V9的阴极、电阻R9的另一端、二极管V15的阳极和输出端output，电阻R1的另一端连接电容C2的另一端；变压器T2的脚7连接电阻R3、电阻R7、电阻R6的另一端、电容C1、电阻R11、可控硅V2的控制极、可控硅V6的控制极和可控硅V10的控制极，变压器T2的脚5连接二极管V13的阴极，变压器T2的脚3连接变压器T3的脚1，电阻R2的另一端连接电容C1的另一端；变压器T3的脚7连接电阻R4、电阻R8、电阻R7的另一端、电容C3、电阻R10、可控硅V3的控制极、可控硅V7的控制极和可控硅V11的控制极，变压器T3的脚5连接二极管V16的阴极，变压器T3的脚3连接变压器T4的脚1，电阻R3的另一端连接电容C3的另一端；变压器T4的脚7连接电阻R8的另一端、电容C4、电阻R12、可控硅V4的控制极、可控硅V8的控制极和可控硅V12的控制极，变压器T4的脚5连接二极管V14的阴极，变压器T2的脚3连接MOS管V17的漏极，电阻R4的另一端连接电容C4的另一端，MOS管V17的源级接地，MOS管V17的栅极连接电阻R14和电容C6，电阻R14的另一端连接输入信号端；可控硅V1的阳极连接可控硅V5的阳极、可控硅V9的阳极、可控硅V2的阴极、可控硅V6的阴极、可控硅V10的阴极、二极管V13的阳极和电阻R11的另一端，可控硅V2的阳极连接可控硅V6的阳极、可控硅V10的阳极、可控硅V3的阴极、可控硅V7的阴极、可控硅V11的阴极、二极管V16的阳极和电阻R10的另一端，可控硅V3的阳极连接可控硅V7的阳极、可控硅V11的阳极、可控硅V4的阴极、可控硅V8的阴极、可控硅V12的阴极、二极管V14的阳极和电阻R12的另一端，可控硅V4的阳极连接可控硅V8的阳极、可控硅V12的阳极和输入端input。

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