恭喜爱思开海力士有限公司金东赫获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110970062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811524703.9,技术领域涉及:G11C5/06;该发明授权半导体存储器装置是由金东赫;吴星来;丁寿男设计研发完成,并于2018-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了:一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:多条位线,其电联接到存储器单元阵列,并且在第一方向上延伸;多个位线触点焊盘,其形成在基板上方的第一平面上,并且分别通过位线触点联接到多条位线;以及多个第一触点焊盘,其形成在第一平面上,分别通过再分配线联接到多个位线触点焊盘,并且通过第一触点电联接到设置在基板上的页缓冲器电路,其中,在与第一方向交叉的第二方向上设置成一行的至少两个位线触点焊盘所对应的至少两个第一触点焊盘在第一方向上设置成一行。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:多条位线,所述多条位线电联接到存储器单元阵列,并且在第一方向上延伸;多个位线触点焊盘,所述多个位线触点焊盘形成在基板上方的第一平面上,并且分别通过位线触点联接到所述多条位线;以及多个第一触点焊盘,所述多个第一触点焊盘形成在所述第一平面上,分别通过再分配线联接到所述多个位线触点焊盘,并且通过第一触点电联接到设置在所述基板上的页缓冲器电路,其中,在与所述第一方向交叉的第二方向上设置成一行的至少两个位线触点焊盘所对应的至少两个第一触点焊盘在所述第一方向上设置成一行,其中,所述第一平面平行于所述基板的顶表面,其中,所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板的顶表面。
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