恭喜台湾积体电路制造股份有限公司王智纬获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957368B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910918738.9，技术领域涉及：H01L29/78；该发明授权半导体结构是由王智纬;蔡家铭;刘格志;钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特;余典卫设计研发完成，并于2019-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明描述了形成具有两个或多个钛‑铝TiAl层的栅极堆叠件的方法，该两个或多个钛‑铝TiAl层具有不同Al浓度例如，不同的AlTi比的。例如，栅极结构可以包括具有第一AlTi比的第一TiAl层和具有第二AlTi比的第二TiAl层，第二TiAl层的第二AlTi比大于第一TiAl层的第一AlTi比。本申请的实施例还涉及半导体结构。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：鳍，位于衬底上；隔离层，位于所述衬底上并且覆盖所述鳍的底部；以及栅极结构，位于所述鳍的未由所述隔离层覆盖的部分上，其中，所述栅极结构包括：第一钛-铝层，位于所述鳍上并且具有第一AlTi比；以及第二钛-铝层，位于所述第一钛-铝层上并且具有大于所述第一AlTi比的第二AlTi比。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号