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龙图腾网恭喜武汉华星光电技术有限公司申请的专利一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110854135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911040056.9，技术领域涉及：H01L27/12；该发明授权一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法是由王东雷设计研发完成，并于2019-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。显示面板包括阵列基板，阵列基板设有显示区、行驱动区以及位于行驱动区背离所述显示区一侧的静电释放区，在所述静电释放区内设有静电释放单元；所述静电释放区包括层叠设置的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层以及平坦层；所述栅极金属层的投影与所述半导体层的投影相离设置，且所述栅极金属层的投影靠近所述行驱动区；其中所述半导体层、所述栅极绝缘层以及所述栅极金属层形成所述静电释放单元。本发明通过在显示区以外设置静电释放区来诱发静电释放，避免了在显示区内的有源层和栅极金属层之间发生静电释放炸伤阵列基板，避免了在显示区产生亮点，保证了显示效果。

本发明授权一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，设有显示区、行驱动区以及位于行驱动区背离所述显示区一侧的静电释放区，在所述静电释放区内设有静电释放单元；所述静电释放区包括：缓冲层；半导体层，设于所述缓冲层上；栅极绝缘层，设于所述缓冲层上且覆盖所述半导体层；栅极金属层，设于所述栅极绝缘层上；所述栅极金属层的投影与所述半导体层的投影相离设置，且所述栅极金属层的投影靠近所述行驱动区；层间绝缘层，设于所述栅极金属层上；以及平坦层，设于所述层间绝缘层上；其中，所述半导体层、所述栅极绝缘层以及所述栅极金属层形成所述静电释放单元；所述栅极金属层在垂直方向上的投影与所述半导体层在垂直方向上的投影的间隔距离为3um-8um；所述栅极金属层朝向所述半导体层的一端与所述显示区的距离为30um-70um，增加所述静电释放区的所述栅极金属层的端部到所述显示区的所述半导体层的距离。

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