恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李宜静获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111261522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911205240.4，技术领域涉及：H01L21/336；该发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件是由李宜静;柯志欣;万幸仁设计研发完成，并于2019-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：在制造半导体器件的方法中，在由半导体材料制成的沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上形成第一阻挡层，在第一阻挡层上形成第二阻挡层，在第二阻挡层上形成第一功函调整层，去除第一功函调整层和第二阻挡层。在去除第一功函调整层和第二阻挡层之后，在栅极介电层上方形成第二功函调整层，并且在第二功函调整层上方形成金属栅电极层。本发明的实施例还涉及半导体器件。
本发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在由半导体材料制成的沟道区域上方形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层；在所述第二阻挡层上形成第一功函调整层；去除所述第一功函调整层和所述第二阻挡层；在去除所述第一功函调整层和所述第二阻挡层之后，至少部分地去除所述第一阻挡层；在至少部分地去除所述第一阻挡层之后，在所述栅极介电层上方形成第二功函调整层；以及在所述第二功函调整层上方形成金属栅电极层，其中，所述第一功函调整层和所述第二功函调整层具有不同的导电类型。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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