上海集成电路研发中心有限公司曾绍海获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111029294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911126991.7，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法是由曾绍海;李铭;刘谆骅设计研发完成，并于2019-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离，包括衬底和位于衬底中的深沟槽，其中，所述深沟槽位于所述衬底背面，所述深沟槽中依次形成有填充层Ⅰ和填充层Ⅱ，且所述填充层Ⅰ的消光系数大于填充层Ⅱ；所述衬底中的信号通过所述深沟槽周围的掺杂衬底进行引出。本发明提供的一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法，在深沟槽中依次沉积消光系数较大的填充层Ⅰ，和消光系数较小的填充层Ⅱ，在激光退火过程中，既能避免深沟槽隔离下面的器件或金属受到激光光强的影响，又能避免由于吸光造成的在深沟槽隔离两侧的N型掺杂和P型掺杂衬底中激光光强分布不均匀问题。
本发明授权一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于衬底背面引出的深沟槽隔离，其特征在于，包括衬底和位于衬底中的深沟槽，其中，所述深沟槽位于所述衬底背面；所述深沟槽中依次形成有填充层Ⅰ和填充层Ⅱ，且所述填充层Ⅰ的消光系数大于填充层Ⅱ；所述衬底中的信号通过所述深沟槽周围的掺杂衬底进行引出；所述填充层Ⅰ能够阻挡激光的光强透过深沟槽；填充层Ⅱ能够使得深沟槽两侧的N型掺杂和P型掺杂衬底中的激光光强分布均匀。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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