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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利芯片转移到晶圆的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111162037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911417000.0，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权芯片转移到晶圆的方法是由刘孟彬;李林超设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片转移到晶圆的方法在说明书摘要公布了：一种芯片转移到晶圆的方法，包括：提供衬底，衬底包括一个或多个第一区域；在衬底上形成多个呈阵列排布的多个源芯片，每个第一区域内具有第一阵列排布的源芯片，第一阵列为A行×B列；提供目标器件晶圆，目标器件晶圆具有多个第一目标区域，第一目标区域的尺寸与第一区域的尺寸相同；通过第一转移操作将一个或多个第一区域上的全部源芯片，转移到目标器件晶圆的一个或多个第一目标区域。本发明能够实现大量的芯片同步转移和键合贴装，大大提高了生产效率，并降低成本。

本发明授权芯片转移到晶圆的方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片转移到晶圆的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括一个或多个第一区域；在所述衬底上形成多个呈阵列排布的源芯片，所述每个第一区域内具有第一阵列排布的源芯片，所述第一阵列为A行×B列；提供第一目标器件晶圆，所述第一目标器件晶圆具有多个第一目标区域，所述第一目标区域的尺寸与第一区域的尺寸相同；通过第一转移操作将所述一个或多个第一区域上的全部源芯片，转移到第一目标器件晶圆的一个或多个第一目标区域；所述第一转移操作的步骤包括：提供静电载具，将所述静电载具移至源芯片层中所述源芯片阵列的上方；使所述静电载具同时吸附释放的多个源芯片并转移到所述第一目标器件晶圆上，使所述静电载具吸附一个第一区域中的多个源芯片位于所述目标器件晶圆的一个第一目标区域上；移除所述静电载具；所述衬底还包括一个或多个第二区域；所述每个第二区域内具有第二阵列排布的多个源芯片，所述第二阵列为C行×D列，且A与C不相等，B与D不相等；第二目标器件晶圆具有多个第二目标区域，所述第二目标区域的尺寸与第二区域的尺寸相同；通过第二转移操作将所述一个或多个第二区域上的全部源芯片，转移到第二目标器件晶圆的一个或多个第二目标区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司，其通讯地址为：315803 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。