恭喜上海集成电路研发中心有限公司康晓旭获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海集成电路研发中心有限公司申请的专利一种光敏电阻、制备方法及其形成的传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111430486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010258514.2，技术领域涉及：H01L31/0352；该发明授权一种光敏电阻、制备方法及其形成的传感器是由康晓旭;钟晓兰设计研发完成，并于2020-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光敏电阻、制备方法及其形成的传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光敏电阻，包括谐振腔、反射层、电极、层状石墨烯以及嵌在层状石墨烯表面的量子点，其中，所述反射层位于所述谐振腔的底部，所述电极位于所述谐振腔的四周，所述层状石墨烯位于所述谐振腔和电极的上表面；当入射光入射至所述光敏电阻时，所述量子点被入射光激发出的电子经过所述层状石墨烯传输至电极，引起所述光敏电阻的阻值变化。本发明提供的一种光敏电阻，以石墨烯为基底，嵌在层状石墨烯表面的量子点作为扩展吸收使用，使得量子点产生的电子快速被基底传输到电极，从而提升光敏电阻性能。
本发明授权一种光敏电阻、制备方法及其形成的传感器在权利要求书中公布了：1.一种光敏电阻，其特征在于，包括谐振腔、反射层、电极、层状石墨烯以及嵌在层状石墨烯表面的量子点，其中，所述反射层位于所述谐振腔的底部，所述电极位于所述谐振腔的四周，所述层状石墨烯位于所述谐振腔和电极的上表面；当入射光入射至所述光敏电阻时，所述量子点被入射光激发出的电子经过所述层状石墨烯传输至电极，引起所述光敏电阻的阻值变化；其中，入射光从层状石墨烯表面入射至光敏电阻中，透过层状石墨烯的入射光经过谐振腔以及反射层再反射回层状石墨烯中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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