恭喜南京华瑞微集成电路有限公司李加洋获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京华瑞微集成电路有限公司申请的专利集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111463282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010235416.7，技术领域涉及：H01L29/78；该发明授权集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法是由李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波设计研发完成，并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法。所述低压超结DMOS结构包括主MOS管、启动MOS管、采样MOS管和多晶电阻；主MOS管的漏极、采样MOS管的漏极与启动MOS管的漏极连接在一起，主MOS管的栅极与采样MOS管的栅极连接，启动MOS管的栅极经所述多晶电阻与启动MOS管的漏极连接，各MOS管的源极经接触孔与有源区金属相连并接零电位，各MOS管之间设置隔离结构，隔离结构通过深槽形成。本发明将采样、启动功能和功率DMOS集成，提高电路的集成度，降低电路中启动损耗和电流采样损耗，从而降低待机功耗，提高能源转换效率。
本发明授权集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构，包括主MOS管，其特征在于：还包括启动MOS管、采样MOS管和多晶电阻；所述主MOS管的漏极、采样MOS管的漏极与启动MOS管的漏极连接在一起，主MOS管的栅极与采样MOS管的栅极连接，启动MOS管的栅极经所述多晶电阻与启动MOS管的漏极连接，各MOS管的源极经接触孔与有源区金属相连并接零电位，各MOS管之间设置隔离结构，所述隔离结构通过深槽形成；所述采样管的沟槽走向和启动管的沟槽走向为垂直90°，采样管的数量少于启动管的数量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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