买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜福州大学申请的专利一种实现多值非挥发存储的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111628075B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010502998.0，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种实现多值非挥发存储的方法是由赖云锋;宫泽弘;林培杰;程树英;郑巧;俞金玲设计研发完成，并于2020-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种实现多值非挥发存储的方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种实现多值非挥发存储的方法，通过提升阻变存储器的高低态阻值比，以及增加多值存储时各阻态的区分度来优化其多值非挥发存储性能；阻变存储器的电极之间设有可稳定所述阻变存储器高阻态工况导电通路的多层阻变介质；多层阻变介质包括第一介质层和第二介质层；所述第一介质层与第二介质层的界面间存在势垒；当阻变存储器处于高阻态工况时，所述势垒提升电阻值；第一介质层中分布有可稳定所述阻变存储器低阻态工况导电通路的金属纳米颗粒；当阻变存储器处于低阻态工况时，金属纳米颗粒降低电阻值；本发明通过在存储介质中嵌入纳米颗粒，实现阻变存储器各阻态的区分度的提高并保证器件的数据存储能力。

本发明授权一种实现多值非挥发存储的方法在权利要求书中公布了：1.一种实现多值非挥发存储的方法，用于阻变存储器，其特征在于：所述方法通过提升阻变存储器的高低态阻值比，以及增加多值存储时各阻态的区分度来优化其多值非挥发存储性能；所述阻变存储器的电极之间设有可稳定所述阻变存储器高阻态工况导电通路的多层阻变介质；所述多层阻变介质包括第一介质层（03）和第二介质层（02）；所述第一介质层与第二介质层的界面间存在势垒；当阻变存储器处于高阻态工况时，所述势垒控制阻变所述存储器的导电能力以提升高阻态工况时的电阻值；所述的第一介质层中分布有可稳定所述阻变存储器低阻态工况导电通路的金属纳米颗粒（06）；当所述阻变存储器处于低阻态工况时，所述金属纳米颗粒通过场增强效应促进形成导电细丝以降低低阻态工况时的电阻值；所述第一介质层的制备方法为；首先清洗ITO导电玻璃，在其上溅射TaOx薄膜；接着更换靶材溅射1-3nm铜膜并在氮气氛围下进行快速热退火，使铜膜团聚成分布均匀的纳米颗粒；再次溅射TaOx薄膜完成第一介质层的制备。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福州大学，其通讯地址为：350108 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。