武汉华星光电半导体显示技术有限公司王选芸获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利像素电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111754921B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010725924.3，技术领域涉及：G09G3/30；该发明授权像素电路是由王选芸;戴超设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本像素电路在说明书摘要公布了：本申请公开了本申请提供的像素电路及其驱动方法，通过同步复位发光单元的输入端的电位和驱动单元的控制端的电位，发光单元的输入端可以获得较长的复位时间；发光单元进行发光时，复位晶体管和初始化晶体管均处于关断状态，能够更好地防止发光单元的输入端漏电，进而改善像素电路在暗态或者低灰阶时的显示效果。
本发明授权像素电路在权利要求书中公布了：1.一种像素电路，其特征在于，包括：发光器件，串接于第一电源信号与第二电源信号构成的发光回路；驱动晶体管，串接于所述发光回路，用于控制流经所述发光回路的电流；复位晶体管，所述复位晶体管的漏极源极中的一者用于接入初始电压信号，所述复位晶体管的漏极源极中的另一者与所述发光器件的阳极连接；初始化晶体管，所述初始化晶体管的漏极源极中的一者与所述驱动晶体管的栅极连接，所述初始化晶体管的漏极源极中的另一者与所述发光器件的阳极连接；至少一个发光控制晶体管，串接于所述发光回路中；钳位晶体管，串接于所述驱动晶体管的栅极与所述驱动晶体管的源极或者漏极之间；以及写入晶体管，与所述驱动晶体管连接；其中，所述驱动晶体管、所述至少一个发光控制晶体管均为P沟道型晶体管，所述初始化晶体管的栅极接入第一控制信号，所述复位晶体管的栅极接入第二控制信号，所述至少一个发光控制晶体管的栅极均接入第三控制信号；所述复位晶体管、所述初始化晶体管、所述钳位晶体管以及所述写入晶体管均为N沟道型晶体管，所述钳位晶体管的栅极、以及所述写入晶体管的栅极均接入第四控制信号；其中，所述复位晶体管用于根据所述第二控制信号先后复位所述发光器件的阳极的电位、所述驱动晶体管的栅极的电位至所述初始电压信号的电位。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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