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龙图腾网恭喜广西大学;五邑大学申请的专利一种NiO紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011468770.0，技术领域涉及：H01L31/0352；该发明授权一种NiO紫外光电探测器及其制备方法是由杨为家;符跃春;王凤鸣;姚娟;何鑫设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种NiO紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种NiO紫外光电探测器及其制备方法，所述NiO紫外光电探测器包括由下至上排列的衬底、NiO薄膜、二氧化硅薄膜和金属电极，所述二氧化硅薄膜上通过光刻腐蚀出若干个凹槽，每个凹槽内竖直插设有NiO柱，所述二氧化硅薄膜的上表面涂覆有碳纳米管形成碳纳米网格，所述NiO柱的周围和碳纳米网格的上表面涂覆AlN纳米晶，并在AlN纳米晶的表面包覆金属量子点，所述金属电极溅射在AlN纳米晶的表面。本发明制备的NiO紫外光电探测器具有尺寸可控、分布均匀性好、综合性能优良的优点；采用无掩膜光刻技术，可以大幅度节约成本，相对于传统技术节省2‑10％的成本。

本发明授权一种NiO紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NiO紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1NiO柱的制备：将NiO喷涂在衬底上形成NiO薄膜，在NiO薄膜的基础上，采用磁控溅射制备一层二氧化硅薄膜，然后采用无掩膜曝光技术，在二氧化硅层上确定生长NiO柱的区域，再采用湿法腐蚀，去除二氧化硅，在NiO薄膜上获得生长NiO柱的区域，然后采用气相外延的方法在NiO薄膜上获得生长NiO柱；2碳纳米管的涂覆：将步骤1制备好的NiO柱样品转移至旋涂仪，在样品中心位置滴加碳纳米管溶液，旋涂分布均匀；3AlN纳米晶的涂覆：在步骤2的基础上，在样品中心位置滴加AlN纳米晶溶液，通过旋涂仪旋涂均匀后，采用红外线低温烘干，接着重复进行AlN纳米晶的涂覆；4退火处理：使用快速退火炉在真空或者保护气氛下退火处理，使AlN纳米晶、碳纳米管与NiO柱形成良好的键合；5金属量子点的制备：采用喷金仪在样品表面溅射Pt或Au或Ag纳米粒子形成金属量子点，包覆在AlN纳米晶的表面；6电极的制备：采用无掩膜光刻技术，获得制备电极的区域，然后采用热蒸镀技术在样品上制备金属电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广西大学;五邑大学，其通讯地址为：530004 广西壮族自治区南宁市西乡塘区大学东路100号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。